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發(fā)布時(shí)間: | 2025-07-09 11:17 |
最后更新: | 2025-07-09 11:17 |
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隨著(zhù)移動(dòng)設備的普及,無(wú)線(xiàn)充電寶作為便攜電源的重要發(fā)展方向,其功率調節電路的電磁兼容(EMC)設計變得尤為關(guān)鍵。本文著(zhù)重圍繞深圳市南柯電子科技有限公司最新研發(fā)的無(wú)線(xiàn)充電寶功率調節電路,結合GB/T 38775.1標準,對其輻射發(fā)射及傳導發(fā)射項目進(jìn)行全面檢測分析,并具體闡述輻射發(fā)射摸底測試、傳導發(fā)射摸底、整改方案和整改后效果,全面剖析功率波動(dòng)干擾整改過(guò)程中的技術(shù)細節與經(jīng)驗
一、無(wú)線(xiàn)充電寶功率調節電路的產(chǎn)品成分分析
深圳市南柯電子科技有限公司的無(wú)線(xiàn)充電寶主要由充電管理模塊、功率調節電路、無(wú)線(xiàn)傳輸模塊、電池組和控制單元組成。其中,功率調節電路作為核心部分,負責調節輸出功率,保證無(wú)線(xiàn)充電過(guò)程中電壓電流的穩定性。該電路集成了高頻開(kāi)關(guān)器件、濾波電感、電容以及反饋控制芯片,其工作頻率高,開(kāi)關(guān)動(dòng)作頻繁,易產(chǎn)生電磁干擾。
功率調節電路中的高頻開(kāi)關(guān)器件如MOSFET,快速切換帶來(lái)的尖峰電流會(huì )導致輻射發(fā)射及傳導發(fā)射值上升。濾波電感與電容的布局和選型不合理,也會(huì )影響電流回路,產(chǎn)生共模噪聲,進(jìn)而干擾測試結果。電路版圖設計、接地質(zhì)量以及屏蔽措施的有效性在此處顯得尤為重要。
二、EMC檢測項目與關(guān)鍵標準介紹
針對無(wú)線(xiàn)充電寶功率調節電路,深圳市南柯電子科技有限公司在我司-檢測實(shí)驗室進(jìn)行了以下主要檢測項目:
輻射發(fā)射摸底測試:評估無(wú)線(xiàn)充電寶在正常工作狀態(tài)下,因功率調節電路產(chǎn)生的電磁波向外輻射的干擾程度。 傳導發(fā)射摸底測試:檢測通過(guò)電源線(xiàn)傳導進(jìn)入電網(wǎng)的干擾信號強度。 GB/T 38775.1標準:該標準針對無(wú)線(xiàn)電設備的電磁兼容性指標設定了嚴格的限值,是國內的檢測依據。通過(guò)摸底測試,企業(yè)能明確功率調節電路在輻射發(fā)射與傳導發(fā)射方面存在的主要問(wèn)題,為后續的整改提供定量數據和技術(shù)方向。
三、輻射發(fā)射摸底測試:發(fā)現與問(wèn)題分析
在初次輻射發(fā)射摸底測試中,深圳市南柯電子科技有限公司的功率調節電路面臨兩類(lèi)主要問(wèn)題:一定頻段內的射頻諧波峰值過(guò)高,以及開(kāi)關(guān)頻率附近的電磁輻射泄漏。
具體表現為3-30MHz頻段中,部分諧波電平超過(guò)GB/T 38775.1規定的限值。根源在于高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作產(chǎn)生的高頻尖峰脈沖與PCB布局不合理引起的電流環(huán)面積過(guò)大,導致電磁能量泄漏提升。針對輻射的濾波與屏蔽措施初期設計欠缺,未能有效抑制高頻噪聲。
四、傳導發(fā)射摸底:評估電源線(xiàn)干擾
傳導發(fā)射摸底測試顯示,功率調節電路的切換噪聲通過(guò)電源輸入端線(xiàn)纜傳導至電網(wǎng),尤其在150kHz至30MHz頻段的干擾水平較高,影響了設備的合規性。
產(chǎn)生原因集中于電源濾波元件選擇不足與接口處共模電感設計不合理,濾波電容的容值和耐壓參數未達到zuijia,導致共模和差模噪聲的濾除效果不佳。劣質(zhì)或布線(xiàn)不當的接地路徑也加劇了傳導噪聲。
五、輻射發(fā)射整改措施與技術(shù)實(shí)踐
針對上述輻射發(fā)射摸底測試結果,深圳市南柯電子科技有限公司啟動(dòng)了系統性的輻射發(fā)射整改:
優(yōu)化PCB布局,縮小功率調節電路的開(kāi)關(guān)回路面積,減少輻射環(huán)路。 采用多層板設計,合理分配接地層,提高地的均勻性和接地回路的低阻特性。 增加EMI濾波器件,如LC濾波器和鐵氧體磁珠,在關(guān)鍵節點(diǎn)抑制射頻噪聲。 加強屏蔽箱結構設計,采用導電性能良好且設計合理的金屬屏蔽罩,降低輻射泄漏。 精細調整反饋控制芯片的PWM頻率,避開(kāi)敏感頻段,提高功率調節的電磁兼容性。整改后重新進(jìn)行輻射發(fā)射測試,功率調節電路相關(guān)頻段的輻射水平明顯下降,符合GB/T 38775.1標準要求。
六、傳導發(fā)射整改方案與效果反饋
傳導發(fā)射整改方面,南柯電子應用了如下關(guān)鍵技術(shù):
升級電源濾波器件,配備高品質(zhì)的共模電感和差模電容,提高濾波能力。 在電源入口端加入多級濾波結構,分階段削減干擾能量。 增強接地系統設計,確保低阻抗路徑,有效減少傳導噪聲的回流。 嚴格布線(xiàn)規則,避免濾波元件和開(kāi)關(guān)器件的信號線(xiàn)交叉干擾,降低高頻串擾。這些措施讓傳導發(fā)射峰值下降了近30%,成功通過(guò)了GB/T 38775.1的傳導發(fā)射限值檢驗。
七、整改關(guān)鍵細節的解析與經(jīng)驗
在本次整改中,一些容易被忽視的細節往往對最終的整改效果起到關(guān)鍵作用:
接地環(huán)路的完整性:缺陷接地會(huì )導致循環(huán)電流增大,增強輻射發(fā)射和傳導干擾。 空間位置關(guān)系:濾波器件和電源線(xiàn)的空間距離直接影響抑制干擾強度。 屏蔽材料的選擇:不同金屬及涂層的屏蔽性能存在差異,合理匹配提高屏蔽效率。 測試環(huán)境一致性:確保每次測試環(huán)境及設備調試條件相同,保證整改數據準確比對。深圳市南柯電子科技有限公司經(jīng)過(guò)多輪摸底測試與整改,形成了完善的EMC設計流程和整改標準,為后續無(wú)線(xiàn)充電寶產(chǎn)品提供了堅實(shí)的技術(shù)保障。
八、對無(wú)線(xiàn)充電寶市場(chǎng)及企業(yè)應用的技術(shù)建議
無(wú)線(xiàn)充電寶功率調節電路的EMC設計已經(jīng)成為影響產(chǎn)品市場(chǎng)競爭力的重要指標。深圳市南柯電子科技有限公司的經(jīng)驗表明,企業(yè)應聚焦以下幾點(diǎn):
從產(chǎn)品設計早期介入EMC評估,結合輻射和傳導摸底測試即時(shí)調整。 強化功率調節電路的布局與濾波設計,采用先進(jìn)的EMI抑制元件和技術(shù)。 建立完整的EMC整改反饋流程,確保產(chǎn)品合規穩定上市。 注重試驗室檢測環(huán)境和測量經(jīng)驗提升,實(shí)時(shí)跟蹤國家標準GB/T 38775.1的最新版本和趨勢。針對功率波動(dòng)帶來(lái)的干擾問(wèn)題,南柯電子積極引入硬件與軟件相結合的調節技術(shù),實(shí)現功率與干擾的最優(yōu)平衡,提升用戶(hù)體驗和產(chǎn)品安全性。
九、選擇專(zhuān)業(yè)檢測與整改服務(wù),助力無(wú)線(xiàn)充電寶質(zhì)量提升
無(wú)線(xiàn)充電寶市場(chǎng)競爭激烈,產(chǎn)品質(zhì)量與電磁兼容性成為品牌信譽(yù)和用戶(hù)滿(mǎn)意度的關(guān)鍵。深圳市南柯電子科技有限公司以其先進(jìn)的技術(shù)實(shí)力和在輻射發(fā)射摸底測試、傳導發(fā)射整改等方面的豐富經(jīng)驗,為客戶(hù)解決復雜的功率調節電路EMC難題。通過(guò)基于GB/T 38775.1標準的嚴苛檢測與整改流程,確保每一款無(wú)線(xiàn)充電寶產(chǎn)品都能平穩通過(guò)市場(chǎng)準入門(mén)檻。
如果您的產(chǎn)品在EMC檢測中遇到輻射發(fā)射或傳導發(fā)射問(wèn)題,建議盡早聯(lián)系專(zhuān)業(yè)的檢測和整改機構,提前規劃檢測項目和整改策略,避免因整改周期長(cháng)或成本高造成生產(chǎn)和上市延誤。深圳市南柯電子科技有限公司始終專(zhuān)注于電子產(chǎn)品EMC服務(wù),期待與您攜手,共創(chuàng )合規高效的無(wú)線(xiàn)充電寶產(chǎn)品未來(lái)。